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TO-3PN-3 Transistores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Ch MOSFET

FDA59N25
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FDA59N25

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512-FDA59N25

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Ch MOSFET

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16,178En existencias

$5.36

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$2.73

$2.29

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Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V N-Channe MOSFET

FQA8N100C
onsemi
1: $4.34
10,863En existencias

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FQA8N100C

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512-FQA8N100C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V N-Channe MOSFET

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10,863En existencias

$4.34

$3.09

$2.91

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MOSFETs

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TO-3PN-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V SUPER FET

FCA47N60-F109
onsemi
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611En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCA47N60-F109

N.º de artículo de Mouser
512-FCA47N60_F109

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V SUPER FET

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611En existencias

$12.95

$10.54

$8.78

$7.83

$7.32

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MOSFETs

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TO-3PN-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029

TK70J20D,S1Q
Toshiba
1: $8.50
75En existencias

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TK70J20D,S1Q

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757-TK70J20DS1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029

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$8.50

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$5.15

$4.58

$4.29

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MOSFETs

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TO-3PN-3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V NCH MOSFET

FDA59N30
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1: $5.23
14,030En existencias

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FDA59N30

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512-FDA59N30

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V NCH MOSFET

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$5.23

$2.94

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TO-3PN-3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V SUPER FET

FCA47N60
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FCA47N60

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512-FCA47N60

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V SUPER FET

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$13.51

$11.00

$9.16

$8.17

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TO-3PN-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 47A, 600V SuperFET

FCA47N60F
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299En existencias

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FCA47N60F

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512-FCA47N60F

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 47A, 600V SuperFET

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$8.28

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V N-Channel

FDA24N40F
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FDA24N40F

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512-FDA24N40F

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V N-Channel

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5,122En existencias

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$3.91

$2.88

$2.56

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MOSFETs

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UniFET 500V

FDA28N50
onsemi
1: $7.00
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FDA28N50

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512-FDA28N50

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UniFET 500V

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1,871En existencias

$7.00

$4.58

$3.37

$3.00

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TO-3PN-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UniFET1 300V N-chan MOSFET

FDA38N30
onsemi
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FDA38N30

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512-FDA38N30

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UniFET1 300V N-chan MOSFET

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1,779En existencias

$4.62

$2.72

$2.34

$2.12

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MOSFETs

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) V=1800 IC=40A

GT40WR21,Q
Toshiba
1: $11.30
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GT40WR21,Q

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757-GT40WR21Q

Toshiba

IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) V=1800 IC=40A

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90En existencias

$11.30

$7.85

$7.06

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IGBT Transistors

Through Hole

TO-3PN-3

IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ

GT50JR21(STA1,E,S)
Toshiba
1: $6.51
57En existencias

N.º de artículo del Fabricante
GT50JR21(STA1,E,S)

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757-GT50JR21STA1ES

Toshiba

IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ

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57En existencias

$6.51

$3.85

$3.83

$3.12

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Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-3PN-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK20J60W,S1VE
Toshiba
1: $7.01
6En existencias
100Se espera el 1/5/2026

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TK20J60W,S1VE

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757-TK20J60WS1VE

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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6En existencias

100Se espera el 1/5/2026

$7.01

$4.14

$3.45

$3.43

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MOSFETs

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC

TK39J60W5,S1VQ
Toshiba
1: $12.00
63En existencias

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TK39J60W5,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK39J60W5S1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC

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TO-3PN-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN

TK7J90E,S1E
Toshiba
1: $3.88
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7J90E,S1E

N.º de artículo de Mouser
757-TK7J90ES1E

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN

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$3.88

$2.64

$1.79

$1.55

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MOSFETs

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N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-CH FRFET

FCA20N60F
onsemi
1: $7.42
334En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCA20N60F

N.º de artículo de Mouser
512-FCA20N60F

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-CH FRFET

Hoja de datos

334En existencias

$7.42

$4.29

$3.59

$3.55

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PT3 75V 3.2mohm

FDA032N08
onsemi
1: $5.09
286En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDA032N08

N.º de artículo de Mouser
512-FDA032N08

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PT3 75V 3.2mohm

Hoja de datos

286En existencias

$5.09

$2.63

$2.40

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16.5A NCH

FDA16N50-F109
onsemi
1: $4.57
97En existencias
450Se espera el 7/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
FDA16N50-F109

N.º de artículo de Mouser
512-FDA16N50_F109

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16.5A NCH

Hoja de datos

97En existencias

450Se espera el 7/8/2026

$4.57

$2.98

$2.33

$1.95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch

FDA24N50F
onsemi
1: $6.30
570En existencias
1,350Se espera el 22/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
FDA24N50F

N.º de artículo de Mouser
512-FDA24N50F

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch

Hoja de datos

570En existencias

1,350Se espera el 22/7/2026

$6.30

$4.13

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 110

MOSFETs

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Channel MOSFET

FDA69N25
onsemi
1: $7.12
35En existencias
2,700En pedido

N.º de artículo del Fabricante
FDA69N25

N.º de artículo de Mouser
512-FDA69N25

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Channel MOSFET

Hoja de datos

35En existencias

2,700En pedido

$7.12

$4.66

$3.43

$3.05

$2.70

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3P N-CH 600V

FQA13N80-F109
onsemi
1: $6.37
416En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQA13N80-F109

N.º de artículo de Mouser
512-FQA13N80_F109

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3P N-CH 600V

Hoja de datos

416En existencias

$6.37

$3.85

$3.27

$3.26

$3.20

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel QFET

FQA24N60
onsemi
1: $8.00
7En existencias
450Se espera el 26/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
FQA24N60

N.º de artículo de Mouser
512-FQA24N60

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel QFET

Hoja de datos

7En existencias

450Se espera el 26/5/2026

$8.00

$5.15

$4.74

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Channel QFET

FQA40N25
onsemi
1: $5.73
567En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQA40N25

N.º de artículo de Mouser
512-FQA40N25

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Channel QFET

Hoja de datos

567En existencias

$5.73

$3.74

$2.92

$2.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel QFET

FQA70N10
onsemi
1: $4.29
892En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQA70N10

N.º de artículo de Mouser
512-FQA70N10

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel QFET

Hoja de datos

892En existencias

$4.29

$2.80

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 110

MOSFETs

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) MQO=25 V=1200 IC=40A

GT40QR21(STA1,E,D
Toshiba
1: $5.17
80En existencias

N.º de artículo del Fabricante
GT40QR21(STA1,E,D

N.º de artículo de Mouser
757-GT40QR21STA1ED

Toshiba

IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) MQO=25 V=1200 IC=40A

Hoja de datos

80En existencias

$5.17

$3.07

$3.00

$2.36

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

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