TO-251-3 Transistores

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V 2,971En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 60V 576En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2,945En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 400V 1.8 Amp 21,077En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 3.1 Amp 3,718En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU 5,752En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 60V 8.8 Amp 4,030En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 P-Channel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU 5,103En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 200V 3.6A P-CH MOSFET 7,222En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A 2,947En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET 5,588En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A 3,918En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A 2,970En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 60V 8.8 Amp 2,233En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A 3,436En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A 3,422En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package 5,721En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 2,974En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251) 2,638En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 2,386En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh 1,718En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251) 5,281En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 250V 2.7 Amp 2,512En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 P-Channel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 2.4 Amp 12,683En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 2.0 Amp 4,729En existencias
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