Max247-3 Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
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1,142En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 65A N-Channel
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979En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET
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186En existencias
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MOSFETs Si Through Hole Max247-3 N-Channel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
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377En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa
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406En existencias
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MOSFETs Si Through Hole Max247-3 N-Channel
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
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515En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5
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234En existencias
1,200Se espera el 8/6/2026
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MOSFETs Si Through Hole Max247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300 Volt 60 Amp Zener SuperMESH3
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412En existencias
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MOSFETs Si Through Hole Max247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 60 Amp
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461En existencias
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MOSFETs Si Through Hole Max247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A
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47En existencias
600Se espera el 3/5/2027
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MOSFETs Si Through Hole Max247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
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MOSFETs Si Through Hole Max247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 60 Amp
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

MOSFETs Si Through Hole Max247-3 N-Channel