OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies is introducing its leading OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs technology with remarkably low on-state resistance, reduced switching losses, and enhanced ruggedness. OptiMOS 7 redefines the landscape of automotive power MOSFETs. The OptiMOS 7 MOSFET technology from Infineon establishes a new standard for automotive applications, allowing performance and efficiency while addressing the challenges of tomorrow's automotive systems.

Resultados: 60
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor 624En existencias
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Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 97 A 3.25 mOhms 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor 2,644En existencias
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 35 A 17.7 mOhms 16 V 2 V 11.8 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor 3,867En existencias
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.9 mOhms 16 V 2 V 10.9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, N-Ch, 0.39mohm max, Automotive MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS 7 3,099En existencias
6,000Se espera el 7/5/2026
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Carrete: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-5-5 N-Channel 1 Channel 40 V 570 A 390 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 144 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 1,690En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-5-2 N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 720 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 72 nC - 55 C + 175 C 149 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 3,996En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-5-2 N-Channel 1 Channel 40 V 290 A 820 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 60 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 4,357En existencias
10,000En pedido
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Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 8,482En existencias
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Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 6,027En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 63 nC - 55 C + 175 C 169 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 1,629En existencias
5,000Se espera el 16/4/2026
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 165 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 51.5 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 6,931En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 35.2 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 57,299En existencias
45,000Se espera el 30/3/2026
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 144 A 1.92 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 22,486En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 960 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 3,071En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-5-1 N-Channel 1 Channel 40 V 410 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 94 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 237En existencias
4,000Se espera el 15/10/2026
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Carrete: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-5-1 N-Channel 1 Channel 40 V 455 A 510 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 110 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 3,363En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 600 uOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 95 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 5,332En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 275 A 910 uOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 3,668En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 222 A 1.13 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 49 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 4,122En existencias
5,000Se espera el 11/6/2026
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 179 A 1.43 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 13,743En existencias
15,000Se espera el 3/12/2026
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 40 V 414 A 550 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 98 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 15,985En existencias
30,000Se espera el 30/3/2026
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 630 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 82 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 8,893En existencias
10,000Se espera el 9/7/2026
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 214 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 3,711En existencias
35,000En pedido
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 173 A 1.53 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 31 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 31,586En existencias
15,000Se espera el 4/3/2027
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 139 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7 6,408En existencias
25,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 274 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 89 nC - 55 C + 175 C 219 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel