|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
- STH270N8F7-6
- STMicroelectronics
-
1:
$5.14
-
1,884En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH270N8F7-6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
|
|
1,884En existencias
|
|
|
$5.14
|
|
|
$3.42
|
|
|
$2.44
|
|
|
$2.33
|
|
|
$2.17
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-CH 40V 15A STripFET V
- STL15DN4F5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.69
-
2,726En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL15DN4F5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-CH 40V 15A STripFET V
|
|
2,726En existencias
|
|
|
$2.69
|
|
|
$1.72
|
|
|
$1.17
|
|
|
$0.974
|
|
|
$0.857
|
|
|
$0.843
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
- STP19NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$5.04
-
664En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP19NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
|
|
664En existencias
|
|
|
$5.04
|
|
|
$2.64
|
|
|
$2.40
|
|
|
$2.09
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
- STP31N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$4.36
-
739En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP31N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
|
|
739En existencias
|
|
|
$4.36
|
|
|
$2.40
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.90
|
|
|
$1.76
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
- STU4N62K3
- STMicroelectronics
-
1:
$2.18
-
2,904En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STU4N62K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
|
|
2,904En existencias
|
|
|
$2.18
|
|
|
$1.19
|
|
|
$0.946
|
|
|
$0.799
|
|
|
$0.675
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
- STU6N62K3
- STMicroelectronics
-
1:
$2.70
-
2,970En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STU6N62K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
|
|
2,970En existencias
|
|
|
$2.70
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.14
|
|
|
$0.959
|
|
|
$0.90
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Switch
- MJD3055T4
- STMicroelectronics
-
1:
$1.40
-
2,236En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-MJD3055
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Switch
|
|
2,236En existencias
|
|
|
$1.40
|
|
|
$0.883
|
|
|
$0.614
|
|
|
$0.489
|
|
|
$0.409
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.451
|
|
|
$0.39
|
|
|
$0.388
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
- PD54003-E
- STMicroelectronics
-
1:
$11.95
-
115En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54003-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
|
|
115En existencias
|
|
|
$11.95
|
|
|
$7.88
|
|
|
$7.04
|
|
|
$6.75
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package
- STB130N6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$2.46
-
1,726En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB130N6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package
|
|
1,726En existencias
|
|
|
$2.46
|
|
|
$1.58
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.894
|
|
|
$0.774
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
- STB18N60M6
- STMicroelectronics
-
1:
$3.14
-
883En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB18N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
|
|
883En existencias
|
|
|
$3.14
|
|
|
$2.04
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
- STB35N60DM2
- STMicroelectronics
-
1:
$6.05
-
578En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB35N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
|
|
578En existencias
|
|
|
$6.05
|
|
|
$4.14
|
|
|
$3.17
|
|
|
$2.96
|
|
|
$2.69
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
- STB36NF06LT4
- STMicroelectronics
-
1:
$2.12
-
1,393En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB36NF06LT4
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
|
|
1,393En existencias
|
|
|
$2.12
|
|
|
$1.36
|
|
|
$0.919
|
|
|
$0.732
|
|
|
$0.683
|
|
|
$0.65
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-1.5ohms Zener SuperMESH 5.2A
- STB7NK80Z-1
- STMicroelectronics
-
1:
$4.25
-
602En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB7NK80Z-1
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-1.5ohms Zener SuperMESH 5.2A
|
|
602En existencias
|
|
|
$4.25
|
|
|
$2.79
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.86
|
|
|
$1.64
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-262-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A
- STD4NK80Z-1
- STMicroelectronics
-
1:
$2.68
-
3,438En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD4NK80Z-1
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A
|
|
3,438En existencias
|
|
|
$2.68
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.993
|
|
|
$0.897
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
- STF10LN80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$3.52
-
650En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF10LN80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
|
|
650En existencias
|
|
|
$3.52
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.27
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
- STF6N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$1.97
-
1,784En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF6N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
|
|
1,784En existencias
|
|
|
$1.97
|
|
|
$0.948
|
|
|
$0.849
|
|
|
$0.674
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.613
|
|
|
$0.588
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
- STF6N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.80
-
983En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF6N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
|
|
983En existencias
|
|
|
$2.80
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.18
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.951
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
- STFU10N80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$3.77
-
981En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STFU10N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
|
|
981En existencias
|
|
|
$3.77
|
|
|
$2.46
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.62
|
|
|
$1.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
- STGP30M65DF2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.18
-
980En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGP30M65DF2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
|
|
980En existencias
|
|
|
$3.18
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
- STGWA15H120DF2
- STMicroelectronics
-
1:
$4.61
-
511En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA15H120DF2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
|
|
511En existencias
|
|
|
$4.61
|
|
|
$3.05
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.88
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh M5
- STL22N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$4.21
-
2,585En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL22N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh M5
|
|
2,585En existencias
|
|
|
$4.21
|
|
|
$2.77
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.62
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
- STL33N60DM2
- STMicroelectronics
-
1:
$5.13
-
2,200En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
|
|
2,200En existencias
|
|
|
$5.13
|
|
|
$3.69
|
|
|
$2.64
|
|
|
$2.56
|
|
|
$2.39
|
|
|
$2.39
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
- STL38N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$6.35
-
2,750En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL38N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
|
|
2,750En existencias
|
|
|
$6.35
|
|
|
$4.51
|
|
|
$3.32
|
|
|
$3.31
|
|
|
$3.10
|
|
|
$3.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-HV-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
- STL45N60DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$7.27
-
2,682En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL45N60DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
|
|
2,682En existencias
|
|
|
$7.27
|
|
|
$5.17
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$4.04
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$3.80
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$3.45
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$3.45
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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PowerFLAT-8x8-5
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N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in
- STL7LN65K5AG
- STMicroelectronics
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1:
$3.63
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5,808En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STL7LN65K5AG
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in
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5,808En existencias
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$3.63
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$2.38
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$1.66
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$1.46
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$1.36
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$1.36
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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PowerFLAT-5x6-VHV-8
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N-Channel
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