|
|
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
- STGW75H65DFB2-4
- STMicroelectronics
-
1:
$5.54
-
598En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGW75H65DFB2-4
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
|
|
598En existencias
|
|
|
$5.54
|
|
|
$4.01
|
|
|
$3.70
|
|
|
$3.55
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.53
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
- STH240N10F7-2
- STMicroelectronics
-
1:
$4.70
-
940En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH240N10F7-2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
|
|
940En existencias
|
|
|
$4.70
|
|
|
$3.11
|
|
|
$2.21
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.65
|
|
|
$1.63
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
H2PAK-2
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V
- STL140N4LLF5
- STMicroelectronics
-
1:
$3.16
-
2,858En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL140N4LLF5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V
|
|
2,858En existencias
|
|
|
$3.16
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.24
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.00
|
|
|
$1.15
|
|
|
$1.00
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
- STL160N4F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.93
-
4,235En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL160N4F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
|
|
4,235En existencias
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.835
|
|
|
$0.662
|
|
|
$0.531
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.605
|
|
|
$0.529
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
- STL260N4F7
- STMicroelectronics
-
1:
$3.67
-
5,403En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL260N4F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
|
|
5,403En existencias
|
|
|
$3.67
|
|
|
$2.41
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.25
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.20
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
- STP20NK50Z
- STMicroelectronics
-
1:
$4.96
-
4,485En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP20NK50Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
|
|
4,485En existencias
|
|
|
$4.96
|
|
|
$2.39
|
|
|
$2.30
|
|
|
$2.20
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.17
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh
- STP30N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$7.39
-
708En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP30N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh
|
|
708En existencias
|
|
|
$7.39
|
|
|
$3.98
|
|
|
$3.77
|
|
|
$3.23
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.22
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
- STP33N60DM2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.53
-
1,426En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP33N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
|
|
1,426En existencias
|
|
|
$3.53
|
|
|
$2.37
|
|
|
$2.20
|
|
|
$1.91
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.76
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
- STP45N60DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$7.00
-
1,008En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP45N60DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
|
|
1,008En existencias
|
|
|
$7.00
|
|
|
$5.17
|
|
|
$4.18
|
|
|
$3.72
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.01
|
|
|
$2.87
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
- STP7NK80Z
- STMicroelectronics
-
1:
$3.82
-
1,935En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP7NK80Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
|
|
1,935En existencias
|
|
|
$3.82
|
|
|
$1.72
|
|
|
$1.61
|
|
|
$1.44
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.29
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.25
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A
- STS5DNF60L
- STMicroelectronics
-
1:
$1.67
-
3,793En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STS5DNF60L
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A
|
|
3,793En existencias
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.707
|
|
|
$0.557
|
|
|
$0.473
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.509
|
|
|
$0.408
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOIC-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 Volt 6 Amp
- STS6NF20V
- STMicroelectronics
-
1:
$0.95
-
16,886En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STS6NF20V
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 Volt 6 Amp
|
|
16,886En existencias
|
|
|
$0.95
|
|
|
$0.59
|
|
|
$0.385
|
|
|
$0.298
|
|
|
$0.237
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.269
|
|
|
$0.208
|
|
|
$0.187
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOIC-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
- STU13N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.12
-
2,414En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STU13N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
|
|
2,414En existencias
|
|
|
$2.12
|
|
|
$0.959
|
|
|
$0.862
|
|
|
$0.725
|
|
|
$0.567
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
- STU7NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$2.93
-
1,749En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STU7NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
|
|
1,749En existencias
|
|
|
$2.93
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.16
|
|
|
$1.05
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.907
|
|
|
$0.884
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
- STW12N170K5
- STMicroelectronics
-
1:
$10.61
-
1,113En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW12N170K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
|
|
1,113En existencias
|
|
|
$10.61
|
|
|
$7.40
|
|
|
$5.30
|
|
|
$5.23
|
|
|
Ver
|
|
|
$5.03
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
- STW77N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$16.25
-
511En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW77N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
|
|
511En existencias
|
|
|
$16.25
|
|
|
$10.03
|
|
|
$8.66
|
|
|
$8.65
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET
- STLD200N4F6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$4.01
-
2,251En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STLD200N4F6AG
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET
|
|
2,251En existencias
|
|
|
$4.01
|
|
|
$2.64
|
|
|
$1.92
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.32
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
- STP11NM60FDFP
- STMicroelectronics
-
1:
$3.61
-
537En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM60FDFP
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
|
|
537En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores Darlington Seven NPN Array
- ULN2002D1013TR
- STMicroelectronics
-
1:
$0.61
-
5,311En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-ULN2002D1013TR
|
STMicroelectronics
|
Transistores Darlington Seven NPN Array
|
|
5,311En existencias
|
|
|
$0.61
|
|
|
$0.369
|
|
|
$0.305
|
|
|
$0.289
|
|
|
$0.225
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.283
|
|
|
$0.191
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Darlington Transistors
|
|
SMD/SMT
|
SOIC-16
|
NPN
|
|
|
|
Transistores Darlington Eight NPN Array
- ULQ2802A
- STMicroelectronics
-
1:
$2.34
-
682En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-ULQ2802A
|
STMicroelectronics
|
Transistores Darlington Eight NPN Array
|
|
682En existencias
|
|
|
$2.34
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.35
|
|
|
$1.30
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.06
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Darlington Transistors
|
|
Through Hole
|
PDIP-18
|
NPN
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
- SD2931-11W
- STMicroelectronics
-
1:
$84.43
-
5En existencias
-
250En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-11W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
|
|
5En existencias
250En pedido
Existencias:
5 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
100 Se espera el 27/4/2026
150 Se espera el 4/5/2026
Plazo de entrega de fábrica:
28 Semanas
|
|
|
$84.43
|
|
|
$70.23
|
|
|
$64.42
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
- STB12N60DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$3.37
-
227En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB12N60DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
|
|
227En existencias
|
|
|
$3.37
|
|
|
$2.19
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.40
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.13
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET
- STD155N3LH6
- STMicroelectronics
-
1:
$2.36
-
363En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD155N3LH6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET
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363En existencias
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$2.36
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$1.52
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$1.03
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$0.807
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$0.671
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Ver
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$0.785
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$0.64
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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DPAK-3 (TO-252-3)
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N-Channel
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
- STGB40V60F
- STMicroelectronics
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1:
$3.65
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74En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STGB40V60F
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STMicroelectronics
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
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74En existencias
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$3.65
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$2.38
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$1.86
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$1.56
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$1.34
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$1.27
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Min.: 1
Mult.: 1
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IGBT Transistors
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Si
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SMD/SMT
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D2PAK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
- STU6N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$1.56
-
45En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STU6N65M2
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
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45En existencias
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$1.56
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$0.766
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$0.632
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$0.524
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Ver
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$0.446
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$0.395
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$0.376
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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Through Hole
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TO-251-3
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N-Channel
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