|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
- STF33N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$4.80
-
999En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF33N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
|
|
999En existencias
|
|
|
$4.80
|
|
|
$2.33
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.85
|
|
|
$1.81
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-1.1ohms Zener SuperMESH 8A
- STF9NK90Z
- STMicroelectronics
-
1:
$5.10
-
803En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF9NK90Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-1.1ohms Zener SuperMESH 8A
|
|
803En existencias
|
|
|
$5.10
|
|
|
$3.24
|
|
|
$2.88
|
|
|
$2.48
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
- STGYA50M120DF3
- STMicroelectronics
-
1:
$6.16
-
1,140En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGYA50M120DF3
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
|
|
1,140En existencias
|
|
|
$6.16
|
|
|
$4.44
|
|
|
$4.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
Max247-3
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
- STH270N8F7-6
- STMicroelectronics
-
1:
$5.49
-
1,715En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH270N8F7-6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
|
|
1,715En existencias
|
|
|
$5.49
|
|
|
$3.66
|
|
|
$2.61
|
|
|
$2.33
|
|
|
$2.17
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
- STI28N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$4.04
-
1,848En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STI28N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
|
|
1,848En existencias
|
|
|
$4.04
|
|
|
$2.31
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.58
|
|
|
$1.43
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
- STL33N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$1.95
-
1,557En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
|
|
1,557En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
- STL57N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$11.62
-
2,496En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL57N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
|
|
2,496En existencias
|
|
|
$11.62
|
|
|
$8.09
|
|
|
$7.15
|
|
|
$7.03
|
|
|
$6.66
|
|
|
$6.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
- STN3P6F6
- STMicroelectronics
-
1:
$1.11
-
38,077En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STN3P6F6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
|
|
38,077En existencias
|
|
|
$1.11
|
|
|
$0.716
|
|
|
$0.492
|
|
|
$0.421
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.356
|
|
|
$0.394
|
|
|
$0.375
|
|
|
$0.356
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-4
|
P-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3
- STP12NK30Z
- STMicroelectronics
-
1:
$3.08
-
1,361En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP12NK30Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3
|
|
1,361En existencias
|
|
|
$3.08
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-0.34ohms Zener SuperMESH 14A
- STP14NK50ZFP
- STMicroelectronics
-
1:
$4.73
-
1,539En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP14NK50ZFP
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-0.34ohms Zener SuperMESH 14A
|
|
1,539En existencias
|
|
|
$4.73
|
|
|
$2.88
|
|
|
$2.62
|
|
|
$2.17
|
|
|
$2.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
- STP18NM80
- STMicroelectronics
-
1:
$8.38
-
801En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP18NM80
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
|
|
801En existencias
|
|
|
$8.38
|
|
|
$4.74
|
|
|
$4.35
|
|
|
$4.01
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
- STP20N95K5
- STMicroelectronics
-
1:
$7.91
-
3,259En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP20N95K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
|
|
3,259En existencias
|
|
|
$7.91
|
|
|
$4.25
|
|
|
$3.96
|
|
|
$3.35
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH
- STP9NK50Z
- STMicroelectronics
-
1:
$2.89
-
1,208En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP9NK50Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH
|
|
1,208En existencias
|
|
|
$2.89
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.35
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.29
|
|
|
$1.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
- STU4N62K3
- STMicroelectronics
-
1:
$2.12
-
2,891En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STU4N62K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
|
|
2,891En existencias
|
|
|
$2.12
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.963
|
|
|
$0.814
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.694
|
|
|
$0.675
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
- STU6N62K3
- STMicroelectronics
-
1:
$2.87
-
2,970En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STU6N62K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
|
|
2,970En existencias
|
|
|
$2.87
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.90
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
- STW24N60M6
- STMicroelectronics
-
1:
$4.33
-
1,044En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW24N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
|
|
1,044En existencias
|
|
|
$4.33
|
|
|
$2.83
|
|
|
$2.01
|
|
|
$1.58
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M
- STW34NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$7.50
-
671En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW34NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M
|
|
671En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
- STW45N60DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$7.49
-
478En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW45N60DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
|
|
478En existencias
|
|
|
$7.49
|
|
|
$4.38
|
|
|
$3.59
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
- STW50N65DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$7.33
-
660En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW50N65DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
|
|
660En existencias
|
|
|
$7.33
|
|
|
$4.23
|
|
|
$3.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD55015-E
- STMicroelectronics
-
1:
$23.25
-
165En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
165En existencias
|
|
|
$23.25
|
|
|
$16.79
|
|
|
$15.61
|
|
|
$15.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
- SCTW40N120G2VAG
- STMicroelectronics
-
1:
$18.41
-
551En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCTW40N120G2VAG
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
|
|
551En existencias
|
|
|
$18.41
|
|
|
$11.42
|
|
|
$10.65
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
HiP-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp
- SD57045
- STMicroelectronics
-
1:
$102.89
-
51En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
SD57045
N.º de artículo de Mouser
511-SD57045
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp
|
|
51En existencias
|
|
|
$102.89
|
|
|
$82.11
|
|
|
$77.95
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
M243
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5
- STB13N80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$5.61
-
1,524En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB13N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5
|
|
1,524En existencias
|
|
|
$5.61
|
|
|
$3.73
|
|
|
$2.67
|
|
|
$2.44
|
|
|
$2.11
|
|
|
$1.95
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm
- STB20N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$4.26
-
1,152En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB20N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm
|
|
1,152En existencias
|
|
|
$4.26
|
|
|
$2.81
|
|
|
$1.99
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.69
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
- STB28N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.77
-
1,882En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB28N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
|
|
1,882En existencias
|
|
|
$2.77
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.21
|
|
|
$0.995
|
|
|
$0.869
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
