|
|
GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT140R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
$5.07
-
637En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT140R70ILB
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
637En existencias
|
|
|
$5.07
|
|
|
$3.62
|
|
|
$2.72
|
|
|
$2.62
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.88
|
|
|
$2.22
|
|
|
$1.88
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
- STWA60N028T
- STMicroelectronics
-
1:
$7.07
-
438En existencias
-
600Se espera el 8/9/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
|
|
438En existencias
600Se espera el 8/9/2026
|
|
|
$7.07
|
|
|
$4.73
|
|
|
$3.80
|
|
|
$3.38
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.78
|
|
|
$2.75
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
- STD80N340K6
- STMicroelectronics
-
1:
$4.61
-
2,389En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
|
|
2,389En existencias
|
|
|
$4.61
|
|
|
$3.04
|
|
|
$2.15
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.50
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.49
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
- STGIK10M120T
- STMicroelectronics
-
1:
$44.97
-
63En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGIK10M120T
|
STMicroelectronics
|
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
|
|
63En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Through Hole
|
SDIPHP-30
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
- SH68N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$20.40
-
174En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SH68N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
|
|
174En existencias
|
|
|
$20.40
|
|
|
$14.57
|
|
|
$10.63
|
|
|
$10.63
|
|
|
$10.62
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
200
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
- STW65N023M9-4
- STMicroelectronics
-
1:
$18.62
-
500En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
500En existencias
|
|
|
$18.62
|
|
|
$11.61
|
|
|
$10.27
|
|
|
$9.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
- PD55008-E
- STMicroelectronics
-
1:
$17.51
-
1,342En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
|
|
1,342En existencias
|
|
|
$17.51
|
|
|
$11.65
|
|
|
$10.94
|
|
|
$10.93
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
- STL36DN6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.52
-
41,533En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
|
|
41,533En existencias
|
|
|
$1.52
|
|
|
$0.96
|
|
|
$0.637
|
|
|
$0.499
|
|
|
$0.347
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.454
|
|
|
$0.345
|
|
|
$0.338
|
|
|
$0.332
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
- BU508AF
- STMicroelectronics
-
1:
$4.11
-
11,074En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BU508AF
N.º de artículo de Mouser
511-BU508AF
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
|
|
11,074En existencias
|
|
|
$4.11
|
|
|
$2.16
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.62
|
|
|
$1.33
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
ISOWATT-218FX-3
|
NPN
|
|
|
|
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
- STE145N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$30.48
-
760En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STE145N65M5
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
|
|
760En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
ISOTOP
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
- STL130N6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$2.99
-
19,971En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL130N6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
|
|
19,971En existencias
|
|
|
$2.99
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.869
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.858
|
|
|
$0.852
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
- STL8N10F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.51
-
38,190En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL8N10F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
|
|
38,190En existencias
|
|
|
$1.51
|
|
|
$0.844
|
|
|
$0.596
|
|
|
$0.494
|
|
|
$0.412
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.456
|
|
|
$0.397
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-3.3x3.3-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
- STP20NM60FD
- STMicroelectronics
-
1:
$7.54
-
4,669En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
|
|
4,669En existencias
|
|
|
$7.54
|
|
|
$4.46
|
|
|
$4.19
|
|
|
$3.76
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.58
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD54008-E
- STMicroelectronics
-
1:
$15.56
-
1,540En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
1,540En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD54008L-E
- STMicroelectronics
-
1:
$8.55
-
3,649En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
3,649En existencias
|
|
|
$8.55
|
|
|
$6.15
|
|
|
$5.56
|
|
|
$5.55
|
|
|
$5.26
|
|
|
$4.80
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT (5x5)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
- PD55003-E
- STMicroelectronics
-
1:
$11.35
-
5,874En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
|
|
5,874En existencias
|
|
|
$11.35
|
|
|
$7.90
|
|
|
$7.28
|
|
|
$7.21
|
|
|
Ver
|
|
|
$7.18
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
- STL57N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$12.39
-
2,439En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL57N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
|
|
2,439En existencias
|
|
|
$12.39
|
|
|
$8.30
|
|
|
$7.16
|
|
|
$7.03
|
|
|
$5.96
|
|
|
$5.85
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
- STL7LN80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.95
-
2,355En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL7LN80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
|
|
2,355En existencias
|
|
|
$2.95
|
|
|
$1.91
|
|
|
$1.31
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.991
|
|
|
$0.907
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
- STD12N60DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$3.41
-
2,383En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
|
|
2,383En existencias
|
|
|
$3.41
|
|
|
$2.21
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.11
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD55015S-E
- STMicroelectronics
-
1:
$25.42
-
228En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015S-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
228En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
- STB31N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$5.91
-
840En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB31N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
|
|
840En existencias
|
|
|
$5.91
|
|
|
$3.87
|
|
|
$2.89
|
|
|
$2.42
|
|
|
$2.19
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.11
|
|
|
$2.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT
- STGWA35IH135DF2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.71
-
487En existencias
-
600Se espera el 11/6/2027
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA35IH135DF2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT
|
|
487En existencias
600Se espera el 11/6/2027
|
|
|
$3.71
|
|
|
$2.53
|
|
|
$2.18
|
|
|
$2.12
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.06
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.96
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
- STP80N600K6
- STMicroelectronics
-
1:
$3.29
-
708En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP80N600K6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
|
|
708En existencias
|
|
|
$3.29
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.19
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.946
|
|
|
$0.944
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power
- BD437
- STMicroelectronics
-
1:
$1.34
-
7,096En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BD437
N.º de artículo de Mouser
511-BD437
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power
|
|
7,096En existencias
|
|
|
$1.34
|
|
|
$0.628
|
|
|
$0.558
|
|
|
$0.434
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.385
|
|
|
$0.345
|
|
|
$0.341
|
|
|
$0.297
|
|
|
$0.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
SOT-32-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
- BUL38D
- STMicroelectronics
-
1:
$1.99
-
3,259En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BUL38D
N.º de artículo de Mouser
511-BUL38D
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
|
|
3,259En existencias
|
|
|
$1.99
|
|
|
$0.803
|
|
|
$0.732
|
|
|
$0.606
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.491
|
|
|
$0.486
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
NPN
|
|
