GCMS Serie Módulos MOSFET

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Serie Empaquetado
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227 Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 536 W GCMS Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227 Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 23 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 303 W GCMS Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227 Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 183 W GCMS Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227 Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 118 W GCMS Tube
SemiQ Módulos MOSFET 1200V SBD Module, 9mohm COPACK, SOT-227 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 204 A 14 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 55 C + 175 C 652 W GCMS Tube
SemiQ Módulos MOSFET 1700V, 30mohm SiC MOSFET Module, SOT-227 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

GCMS Tube