Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
IXYS Módulos de semiconductores discretos 26 Amps 1000V 0.39 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN26N100 Tube
IXYS Módulos de semiconductores discretos 26 Amps 1200V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN26N120 Tube
IXYS Módulos de semiconductores discretos 30 Amps 1200V 0.35 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN30N120 Tube