Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto
Tipo
Tecnología
Vf - Tensión directa
Vr - Tensión inversa
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
ROHM Semiconductor Módulos de semiconductores discretos Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFET-SiC SBD Modules Half Bridge SiC 1.2 kV - 6 V, + 22 V Screw Mount Module - 40 C + 150 C BSMx Tray
ROHM Semiconductor Módulos de semiconductores discretos SIC Pwr Module Chopper
Hoja de datos
Plazo de entrega 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Silicon Carbide (SiC) Module SiC 1.6 V 1.2 kV - 4 V, + 22 V Screw Mount Module - 40 C + 150 C Bulk