NXH240B120H3Q1x1G Si/SiC Hybrid Modules

onsemi NXH240B120H3Q1x1G Si/SiC Hybrid Power Integrated Modules (PIMs) contain a three-channel 1200V IGBT + SiC Boost module and an NTC thermistor. Each channel consists of a fast-switching 80A IGBT, a 30A SiC diode, a bypass diode, and an IGBT protection diode. Integrated field stop trench IGBTs and SiC diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling high efficiency and superior reliability.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto Tecnología Serie Empaquetado
onsemi NXH100B120H3Q0SG
onsemi Módulos de semiconductores discretos PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN) 24En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT-SiC Diode Modules Si NXH100B120H3Q0 Tray
onsemi NXH100B120H3Q0PG
onsemi Módulos de semiconductores discretos PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN) 312Existencias en fábrica disponibles
Min.: 24
Mult.: 24
IGBT-SiC Diode Modules Si NXH100B120H3Q0 Tray