|
|
MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L
- NTH4L020N090SC1
- onsemi
-
1:
$27.33
-
2,250En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L020N090SC1
|
onsemi
|
MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L
|
|
2,250En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
- AIMW120R045M1XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$21.51
-
837En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-AIMW120R045M1XKS
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
|
|
837En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
- IKW40N120CH7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.22
-
721En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IKW40N120CH7XKSA
|
Infineon Technologies
|
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
|
|
721En existencias
|
|
|
$6.22
|
|
|
$3.77
|
|
|
$3.15
|
|
|
$3.03
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
- IXTP120N20X4
- IXYS
-
1:
$9.49
-
726En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTP120N20X4
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
|
|
726En existencias
|
|
|
$9.49
|
|
|
$5.13
|
|
|
$4.82
|
|
|
$4.53
|
|
|
Ver
|
|
|
$4.29
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC
- SCT4026DEC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
$19.81
-
635En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCT4026DEC11
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC
|
|
635En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247N-3
|
|
|
|
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
- TW045N120C,S1F
- Toshiba
-
1:
$28.26
-
131En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TW045N120CS1F
|
Toshiba
|
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
|
|
131En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Rectificadores SOT-227 - GEN5 FRED SINGLE PHA
- VS-U5FH30BA60
- Vishay Semiconductors
-
1:
$21.03
-
206En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-VS-U5FH30BA60
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores SOT-227 - GEN5 FRED SINGLE PHA
|
|
206En existencias
|
|
|
$21.03
|
|
|
$17.16
|
|
|
$16.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Rectifiers
|
|
Screw Mount
|
SOT-227
|
|
|
|
Rectificadores FRED DQ 1200 V 75 A TO-247
- APT75DQ120BG
- Microchip Technology
-
1:
$3.12
-
9,731En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT75DQ120BG
|
Microchip Technology
|
Rectificadores FRED DQ 1200 V 75 A TO-247
|
|
9,731En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Rectifiers
|
|
Through Hole
|
TO-247-2
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
- FCH190N65F-F155
- onsemi
-
1:
$7.20
-
6,021En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FCH190N65F_F155
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
|
|
6,021En existencias
|
|
|
$7.20
|
|
|
$4.87
|
|
|
$3.41
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky 100V 30A
- DSTF30100S
- Littelfuse
-
1:
$2.18
-
18,954En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
576-DSTF30100S
|
Littelfuse
|
Rectificadores y diodos Schottky 100V 30A
|
|
18,954En existencias
|
|
|
$2.18
|
|
|
$1.09
|
|
|
$0.877
|
|
|
$0.844
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Schottky Diodes & Rectifiers
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-2
|
|
|
|
IGBTs 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
- IXBX50N360HV
- IXYS
-
1:
$139.57
-
448En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXBX50N360HV
|
IXYS
|
IGBTs 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
|
|
448En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-PLUS-HV-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V
- IXFK230N20T
- IXYS
-
1:
$24.73
-
931En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFK230N20T
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V
|
|
931En existencias
|
|
|
$24.73
|
|
|
$17.30
|
|
|
$16.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-264-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT
- IXTL2N470
- IXYS
-
1:
$89.43
-
366En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTL2N470
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT
|
|
366En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
ISOPLUS-i5-PAK-3
|
|
|
|
IGBTs IXYX50N170C
- IXYX50N170C
- IXYS
-
1:
$30.34
-
820En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXYX50N170C
|
IXYS
|
IGBTs IXYX50N170C
|
|
820En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-PLUS-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
- SUP90142E-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$4.25
-
37,706En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SUP90142E-GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
|
|
37,706En existencias
|
|
|
$4.25
|
|
|
$2.18
|
|
|
$1.98
|
|
|
$1.68
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Rectificadores 75A 600V Single Diode
- VS-E5PX7506LHN3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.22
-
6,916En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-VS-E5PX7506LHN3
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores 75A 600V Single Diode
|
|
6,916En existencias
|
|
|
$3.22
|
|
|
$2.76
|
|
|
$2.66
|
|
|
$2.53
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Rectifiers
|
|
Through Hole
|
TO-247AD-2
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 400V 1.8 Amp
- IRFU9310PBF
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.45
-
22,272En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
844-IRFU9310PBF
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 400V 1.8 Amp
|
|
22,272En existencias
|
|
|
$2.45
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.902
|
|
|
$0.858
|
|
|
$0.729
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC 650V 6A Gen6
- C6D06065E
- Wolfspeed
-
1:
$3.66
-
15,502En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-C6D06065E
|
Wolfspeed
|
Diodos Schottky de SiC 650V 6A Gen6
|
|
15,502En existencias
|
|
|
$3.66
|
|
|
$1.75
|
|
|
$1.58
|
|
|
$1.38
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
SMD/SMT
|
DPAK-2 (TO-252-2)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
- PJMP210N65EC_T0_00601
- Panjit
-
1:
$2.65
-
2,862En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
241-PJMP210N65ET0601
|
Panjit
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
|
|
2,862En existencias
|
|
|
$2.65
|
|
|
$1.31
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.05
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
- STP60N043DM9
- STMicroelectronics
-
1:
$10.70
-
931En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP60N043DM9
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
|
|
931En existencias
|
|
|
$10.70
|
|
|
$6.03
|
|
|
$5.81
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
- IGQ100N120S7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.80
-
1,594En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-GQ100N120S7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
|
|
1,594En existencias
|
|
|
$8.80
|
|
|
$6.61
|
|
|
$6.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
- TW060N120C,S1F
- Toshiba
-
1:
$22.96
-
364En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TW060N120CS1F
|
Toshiba
|
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
|
|
364En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
- PJMF210N65EC_T0_00601
- Panjit
-
1:
$2.68
-
1,710En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
241-PJMF210N65ET0601
|
Panjit
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
|
|
1,710En existencias
|
|
|
$2.68
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.18
|
|
|
$1.05
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
ITO-220AB-F-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET
- PJMH190N60E1_T0_00601
- Panjit
-
1:
$2.04
-
1,441En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
241-PJMH190N60E1T061
|
Panjit
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET
|
|
1,441En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET
- PSMP050N10NS2_T0_00601
- Panjit
-
1:
$2.60
-
1,707En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
241-PSMP050N10NS2T06
|
Panjit
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET
|
|
1,707En existencias
|
|
|
$2.60
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220AB-L-3
|
|