Resultados: 6
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 171,869En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V 2,886En existencias
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Si SMD/SMT TISON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 20,029En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 24 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V 779En existencias
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS 402En existencias
10,000Se espera el 17/9/2026
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 34 V 36 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC 709En existencias
4,000Se espera el 19/3/2026
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Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 1 Channel 20 V 22 A 11.7 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V 14 nC - 55 C + 150 C 9.6 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel