Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ097N04LS G
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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TSDSON-8
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
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TISON-8
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Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ097N04LSGATMA1
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ0589NSATMA1
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Si
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TSDSON-8
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0909NS
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726-BSZ0909NS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS
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Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
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36 A
12 mOhms
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC
IRLHS6242TRPBF
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4,000 Se espera el 19/3/2026
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942-IRLHS6242TRPBF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC
709 En existencias
4,000 Se espera el 19/3/2026
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Si
SMD/SMT
PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
1 Channel
20 V
22 A
11.7 mOhms
- 12 V, 12 V
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StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel