Inductive Wireless Charging Solutions

Infineon Technologies Inductive Wireless Charging Solutions use electromagnetic fields to transfer power from a transmitter to a receiver application. This technology charges batteries without a physical connection, all thanks to a wireless charging power supply. The benefits of wireless charging in applications are not having to plug in a device and no plug compatibility issues. It’s also safer since there is no contact with exposed electrical connectors. Wireless charging is more reliable in harsher environments, like drilling and mining. It also allows for seamless on-the-go charging, whether in the car or in public places. Finally, it eliminates tangled charging cables while charging multiple devices in parallel.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 171,869En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V 2,886En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TISON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 20,029En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 24 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V 779En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS 402En existencias
10,000Se espera el 17/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 34 V 36 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC 709En existencias
4,000Se espera el 19/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 1 Channel 20 V 22 A 11.7 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V 14 nC - 55 C + 150 C 9.6 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel