Resultados: 7
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
MACOM GaN FETs Transistor, DC-6.0GHz, 35W, G28V5
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT 440166 1 Channel 84 V 6 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Transistor, DC-4.0GHz, 50W, G28V5
Hoja de datos
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT 440223 1 Channel 84 V 6 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Transistor, DC-4GHz, 120W, G28V5
Hoja de datos
25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT 440223 1 Channel 84 V 12 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 65 C
MACOM GaN FETs Transistor, DC - 6 GHz, 8W, G28V5-1C
Hoja de datos
188En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT PDFN-12 1 Channel 84 V 1.4 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C 8 W
MACOM GaN FETs Transistor,GaN,5W,DC-6GHz,2.16mm,Pill
Hoja de datos
80En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT 440109-2 1 Channel 84 V 750 mA - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Transistor, DC-8.0GHz, 25W, G28V5
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT 440166 1 Channel 84 V 4.6 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Transistor,GaN,10W,DC-6GHz,3.6mm,Flange
Hoja de datos
80Se espera el 5/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT 84 V 4.6 A - 10 V,+ 2 V - 40 C + 85 C