Resonant Wireless Charging - Consumer Applications

Infineon Technologies Resonant Wireless Charging - Consumer Applications takes the lead in fast switching in power transfer topologies. With excellent figure of merit (FOM) for gate charge times, RDS(on) and Coss, these charging solutions enable 6.78MHz inverter designs. Advanced power MOSFET technology addresses frequency switching implementations, especially in the 30-10V areas for class D inverter designs and in the 150-250V voltage class for class E inverter designs.

Resultados: 16
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
16,837En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 15.2 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.7 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
2,776En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 7 A 194 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5.6 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
Hoja de datos
142,977En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 116 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
Hoja de datos
8,205En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 1 Channel 100 V 5.1 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 3.7 nC - 55 C + 175 C 11.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
6,304En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 1 Channel 80 V 12.5 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 7 nC - 55 C + 175 C 11.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
5,797En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 7 A 194 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5.6 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
11,113En existencias
10,000Se espera el 8/10/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 250 V 5 A 371 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 5.5 nC - 55 C + 150 C 33.8 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
33,807En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 21 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
17,151En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 21 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.7 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
2,990En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 13 A 74 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
16,560En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 15.2 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11.6 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
Hoja de datos
8,186En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 30 V 3.6 A 63 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
Hoja de datos
161,090En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.3 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg
Hoja de datos
574En existencias
119,150En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 3.6 A 78 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
1,670En existencias
5,000Se espera el 20/8/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 250 V 5 A 371 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5.5 nC - 55 C + 150 C 33.8 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
10,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 13 A 74 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel