Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode 10pF 6.8V
DF2B7AE,H3F
Toshiba
1:
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176,048 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-DF2B7AEH3F
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode 10pF 6.8V
176,048 En existencias
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SOD-523-2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
SSM3K341R,LF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K341RLF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
SSM3K341TU,LF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K341TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
7,347 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
UFM-3
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode 10pF 6.8V
DF2B7ACT,L3F
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N.º de artículo de Mouser 757-DF2B7ACTL3F
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode 10pF 6.8V
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SOD-882-2
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode 10pF 6.8V
DF2B7AFS,L3M
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N.º de artículo de Mouser 757-DF2B7AFSL3M
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode 10pF 6.8V
43,984 En existencias
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SOD-923-2
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD 5.5V UNI
DF2B7AFU,H3F
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-DF2B7AFUH3F
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD 5.5V UNI
23,015 En existencias
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1005 (2512 metric)
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode 8.5pF 5.8V
DF2B7ASL,L3F
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-DF2B7ASLL3F
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode 8.5pF 5.8V
23,976 En existencias
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SL-2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
TK10A80E,S4X
Toshiba
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150 Se espera el 2/3/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TK10A80ES4X
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
13 En existencias
150 Se espera el 2/3/2026
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220FP-3
