125°C I2C BUS EEPROMs for 2-Wire Automotive

ROHM Semiconductor 125°C I2C BUS EEPROMs for 2-Wire Automotive are AEC-Q100 qualified. The ROHM I2C BUS EEPROMs feature two ports of Serial Clock (SCL) and Serial Data (SDA) that all controls are available through. The EEPROMs operate from a wide limit of 1.7V to 5.5V, with a possible 1MHz operation.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
3,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 17.7 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
3,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 5 mOhms 20 V 2.5 V 19.1 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET
Hoja de datos
772En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 5.3 mOhms 20 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape