Motor Control Applications

Toshiba Motor Control Applications are a portfolio of new-generation devices for motor applications. Included are high-performance MOSFETs for high efficiency in end products. These Toshiba MOSFETs are fabricated using the current Gen-8 trench MOS process, which helps improve the efficiency of power supplies. Features include low drain-source on-resistance, low leakage current, and high avalanche ruggedness.

Resultados: 16
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR 14,835En existencias
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 50 A 15.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 22 nC - 55 C + 150 C 142 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET 6,763En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V 6,018En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 92 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 58 nC - 55 C + 150 C 142 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON-ADV 00 PD=78W 1MHz PWR MOSFET TRNS 11,662En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 38 A 15.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V 3,827En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 74 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V 7,127En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 46 nC - 55 C + 150 C 64 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP 4,929En existencias
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 74 nC - 55 C + 150 C 142 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel 33,690En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 850 uOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 103 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP 12,696En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 103 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR 2,549En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 260 A 1.34 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 91 nC + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 80V 100A 59nC MOSFET 2,428En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET 1,700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 93 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 58 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 179A 225W UMOSVIII 130nC .0044 37En existencias
1,200En pedido
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 120 V 179 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 130 nC + 150 C 255 W Enhancement U-MOSVIII-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=132W 10En existencias
25,000Se espera el 18/6/2026
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 74 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 80V 116A 8DSOP 111En existencias
20,000Se espera el 3/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 116 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 59 nC - 55 C + 150 C 142 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
9,400En pedido
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 260 A 1.29 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 91 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel