Resultados: 12
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 16,413En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 12.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 4,857En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 24,518En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 29 mOhms, 29 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 17.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V 2,710En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 11.2 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 53 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 4,978En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 45 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 17.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 6,519En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 4.8 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 29 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 10,416En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 7.4 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 17 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 9,144En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 12.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 6,269En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 3,054En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 1,921En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 1,583En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 35 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 13.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel