EPC GaN FETs

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Modo canal Nombre comercial
EPC GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 500
Carrete: 500

SMD/SMT BGA-75 N-Channel 2 Channel 60 V 30 A 4.9 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 8 nC, 11 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 500
Carrete: 500

SMD/SMT Die 2 Channel 100 V 30 A 6.8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.8 nC, 6.8 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 12,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

SMD/SMT BGA N - Channel 2 Channel 120 V 3.4 A 110 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 0.8 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 12,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

SMD/SMT BGA N - Channel 1 Channel 100 V 5 A 58 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 0.85 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6 Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 500
Carrete: 500

SMD/SMT BGA N - Channel 1 Channel 160 V 48 A 8 mOhms - 4 V 2.5 V 11.1 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 12,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 65 V 2 A 480 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 133 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET