|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
- SIHG190N65E-GE3
- Vishay
-
1:
$5.25
-
428En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHG190N65E-GE3
Nuevo producto
|
Vishay
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
|
|
428En existencias
|
|
|
$5.25
|
|
|
$3.49
|
|
|
$2.88
|
|
|
$2.44
|
|
|
$2.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-247AC
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
- SD2931-11W
- STMicroelectronics
-
1:
$115.84
-
255En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-11W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
|
|
255En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block
- CSD87330Q3D
- Texas Instruments
-
1:
$1.46
-
50,231En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
595-CSD87330Q3D
|
Texas Instruments
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block
|
|
50,231En existencias
|
|
|
$1.46
|
|
|
$0.965
|
|
|
$0.805
|
|
|
$0.736
|
|
|
$0.72
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.696
|
|
|
$0.687
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
LSON-CLIP-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified
- SQD19P06-60L_T4GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.19
-
56,367En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQD19P06-60LT4GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified
|
|
56,367En existencias
|
|
|
$2.19
|
|
|
$1.40
|
|
|
$0.951
|
|
|
$0.758
|
|
|
$0.716
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.728
|
|
|
$0.679
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V NCH FRFET
- FCB20N60FTM
- onsemi
-
1:
$6.39
-
9,306En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FCB20N60FTM
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V NCH FRFET
|
|
9,306En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET
- R6020ENXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$3.30
-
5,811En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6020ENXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET
|
|
5,811En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET
- FDPF20N50T
- onsemi
-
1:
$5.74
-
7,358En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDPF20N50T
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET
|
|
7,358En existencias
|
|
|
$5.74
|
|
|
$3.74
|
|
|
$2.93
|
|
|
$2.45
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.28
|
|
|
$2.13
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
- XPN12006NC,L1XHQ
- Toshiba
-
1:
$1.77
-
56,550En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-XPN12006NCL1XHQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
|
|
56,550En existencias
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.755
|
|
|
$0.597
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.508
|
|
|
$0.544
|
|
|
$0.535
|
|
|
$0.508
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3
- SISA14DN-T1-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$1.20
-
49,480En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SISA14DN-T1-GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3
|
|
49,480En existencias
|
|
|
$1.20
|
|
|
$0.755
|
|
|
$0.497
|
|
|
$0.386
|
|
|
$0.304
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.351
|
|
|
$0.302
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerPAK-1212-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- BSC072N04LDATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.73
-
24,278En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC072N04LDATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
24,278En existencias
|
|
|
$1.73
|
|
|
$1.10
|
|
|
$0.736
|
|
|
$0.581
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.491
|
|
|
$0.526
|
|
|
$0.525
|
|
|
$0.491
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
- BSC150N03LDGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.27
-
9,564En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC150N03LDGATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
9,564En existencias
|
|
|
$1.27
|
|
|
$0.797
|
|
|
$0.526
|
|
|
$0.41
|
|
|
$0.342
|
|
|
$0.32
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
- FDMC7660S
- onsemi
-
1:
$2.01
-
5,704En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDMC7660S
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
|
|
5,704En existencias
|
|
|
$2.01
|
|
|
$1.30
|
|
|
$0.883
|
|
|
$0.699
|
|
|
$0.605
|
|
|
$0.605
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
Power-33-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET si A 595-CSD25310Q2
- CSD25310Q2T
- Texas Instruments
-
1:
$1.70
-
17,112En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
595-CSD25310Q2T
|
Texas Instruments
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET si A 595-CSD25310Q2
|
|
17,112En existencias
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.628
|
|
|
$0.628
|
|
|
$0.54
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.486
|
|
|
$0.48
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
250
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
WSON-6
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- BSC155N06NDATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.93
-
4,117En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC155N06NDATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
4,117En existencias
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.81
|
|
|
$0.661
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.576
|
|
|
$0.605
|
|
|
$0.576
|
|
|
$0.576
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
- STP20N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$5.82
-
1,434En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP20N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
|
|
1,434En existencias
|
|
|
$5.82
|
|
|
$4.08
|
|
|
$3.89
|
|
|
$3.66
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel PowerTrench
- FDMC7660
- onsemi
-
1:
$2.40
-
8,770En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDMC7660
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel PowerTrench
|
|
8,770En existencias
|
|
|
$2.40
|
|
|
$1.40
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.844
|
|
|
$0.784
|
|
|
$0.784
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
Power-33-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
- IPG20N10S4L-22A
- Infineon Technologies
-
1:
$2.43
-
4,857En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-22A
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
|
|
4,857En existencias
|
|
|
$2.43
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.882
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.763
|
|
|
$0.776
|
|
|
$0.763
|
|
|
$0.763
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
- XPN7R104NC,L1XHQ
- Toshiba
-
1:
$1.37
-
4,866En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-XPN7R104NC,L1XHQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
|
|
4,866En existencias
|
|
|
$1.37
|
|
|
$0.855
|
|
|
$0.563
|
|
|
$0.438
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.338
|
|
|
$0.377
|
|
|
$0.368
|
|
|
$0.338
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSON-Advance-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 19.7A
- SISHA14DN-T1-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$1.16
-
5,635En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SISHA14DN-T1-GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 19.7A
|
|
5,635En existencias
|
|
|
$1.16
|
|
|
$0.728
|
|
|
$0.479
|
|
|
$0.371
|
|
|
$0.292
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.337
|
|
|
$0.287
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerPAK-1212-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 0.0045Ohm
- SI4430BDY-T1-E3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.02
-
1,923En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
781-SI4430BDY-T1-E3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 0.0045Ohm
|
|
1,923En existencias
|
|
|
$3.02
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.11
|
|
|
$1.05
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOIC-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 190M
- NTPF190N65S3HF
- onsemi
-
1:
$6.28
-
5,724En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NTPF190N65S3HF
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 190M
|
|
5,724En existencias
|
|
|
$6.28
|
|
|
$4.11
|
|
|
$3.03
|
|
|
$2.69
|
|
|
$2.39
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp
- STB20NM50T4
- STMicroelectronics
-
1:
$6.15
-
957En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB20NM50
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp
|
|
957En existencias
|
|
|
$6.15
|
|
|
$4.13
|
|
|
$2.98
|
|
|
$2.76
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 600V
- STB26NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$7.86
-
913En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB26NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 600V
|
|
913En existencias
|
|
|
$7.86
|
|
|
$5.35
|
|
|
$4.11
|
|
|
$3.80
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
- STB28N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$4.32
-
1,462En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB28N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
|
|
1,462En existencias
|
|
|
$4.32
|
|
|
$2.85
|
|
|
$2.01
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$1.84
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$1.72
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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D2PAK-3 (TO-263-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
- STW20N90K5
- STMicroelectronics
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1:
$7.55
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600En existencias
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600Se espera el 21/4/2026
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N.º de artículo de Mouser
511-STW20N90K5
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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600En existencias
600Se espera el 21/4/2026
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$7.55
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$4.39
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$3.65
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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Through Hole
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TO-247-3
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