STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct
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IGBT Modules Si Through Hole SDIP2F-26
STMicroelectronics IGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
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IGBT Transistors Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
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855En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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1,797En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-1ohm Zener SuperMESH 7.5A
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Hi Vltg Pwr SCHOTTKY RECTIFIER
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 15 Amp 25 Volt
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220-2
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 2X10 Amp 25 Volt
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1,406En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Power Schottky Rectifier
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1,748En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores Turbo 2 RECTIFIER Ultrafast Hi Vltg
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1,440En existencias
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Rectifiers SMD/SMT D2-PAK
STMicroelectronics Rectificadores Automotive 600 V, 2 A Turbo 2 Ultrafast Diode
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4,379En existencias
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Rectifiers SMD/SMT SMBFlat
STMicroelectronics Rectificadores Automotive 600 V, 30 A Soft Ultrafast Diode
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1,773En existencias
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Rectifiers SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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422En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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661En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa
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439En existencias
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MOSFETs Si Through Hole Max247-3


STMicroelectronics Triacs 12 A Snubberless Triac
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Triacs Through Hole TO-220AB-3
STMicroelectronics Triacs 16 A Logic Level Triac for LED Light Dimmers
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Triacs Through Hole TO-22AB-3