SQJ500AEPT1BE3 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P CH 40V (D-S) 42,081En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 30 A 9.2 mOhms, 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25.5 nC, 30.2 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified 61,148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 30 A 7.7 mOhms, 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 38.3 nC, 45 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel