MCAC180N04YHE3TP Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
Hoja de datos
4,165En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 56 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
Carrete: 5,000
Reel