1.04 kW Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Paquete / Cubierta

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A
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398En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 800 V 38 A TO-247 MAX
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128En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/160A; Copack
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260En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
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507En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
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238En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
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314En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET
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18En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
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659En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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1,317En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) L2 Linear Power MOSFET
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1,100En existencias
2,880En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
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414En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds
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509En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET DIODE Id82 BVdass600
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165En existencias
280Se espera el 29/6/2026
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) L2 Linear Power MOSFET
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123En existencias
2,300En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel: Standard MOSFET
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143En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies DF200R12KE3
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200V 200A DUAL
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27En existencias
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IGBT Modules Si Screw Mount IS5a ( 62 mm )-5
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 1000 V 29 A TO-247 MAX
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35En existencias
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MOSFETs Si Through Hole T-MAX-3
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1200 V 24 A TO-264
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1En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 500 V 75 A TO-264
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36En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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16En existencias
1,710En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET
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62En existencias
200Se espera el 23/6/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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54En existencias
300Se espera el 29/4/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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299Se espera el 23/11/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 800V
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300Se espera el 7/9/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3