Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

Tipos de Semiconductores discretos

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Resultados: 2,183
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
Littelfuse SCR SCR 400V 70A 320En existencias
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SCRs Through Hole SMTO-218
Littelfuse SCR Sensing 4,345En existencias
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Carrete: 2,500

SCRs SMD/SMT DO-214AB-2
Littelfuse SCR 6A 200uA 600V Sensing 4,334En existencias
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Carrete: 2,500

SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Littelfuse SCR Sensing 3,075En existencias
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Carrete: 2,500

SCRs SMD/SMT DO-214AB-2

Littelfuse SCR Sen SCR 800V .8A 200 uA 17,070En existencias
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Carrete: 1,000

SCRs SMD/SMT SOT-223-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 175V 150A 295En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Rds 368En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 220A N-CH X3CLASS 180En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds 234En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds 354En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 30A N-CH X3CLASS 661En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS 239En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT 265En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3

IXYS IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBTs 577En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole
IXYS IGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT 920En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs TO263 1200V 20A XPT 374En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263HV-3
IXYS IGBTs TO247 1700V 10A IGBT 255En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Littelfuse SCR Power Thyristor Discretes-SCR TO-247AD 1,200En existencias
1,800Se espera el 3/6/2026
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SCRs Through Hole TO-247-3
Littelfuse SCR 400V 25A 885En existencias
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SCRs TO-220-2
Littelfuse SCR 1000V 16A SCR TO220 976En existencias
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SCRs TO-220-2
Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W 400V 5% Uni-Directional 7,293En existencias
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Carrete: 5,000

SMA (DO-214AC)
Littelfuse SCR THY 12A 50V SCR 938En existencias
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Carrete: 1,000

SCRs Through Hole TO-220-3
Littelfuse SCR 200V 8A 1,090En existencias
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Carrete: 1,000

SCRs Through Hole TO-220-3
Littelfuse SCR 600V 25A 973En existencias
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SCRs TO-220-2
Littelfuse SCR 1000V 25A 824En existencias
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SCRs TO-220-2