Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 7A N-CH POLAR 39En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70 Amps 75V 0.0120 Rds 49En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
Littelfuse SCR 6A 200uA 400V 743En existencias
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SCRs Through Hole TO-251
Littelfuse SCR SCR 400V 55A 81En existencias
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SCRs Screw Mount SMTO-218
Littelfuse SCR 6A 600V 407En existencias
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SCRs Through Hole TO-251-3

Littelfuse SCR Thy SenSCR SOT-89 967En existencias
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Carrete: 1,000
SCRs SMD/SMT SOT-89-3
Littelfuse SCR 8A 1000V 26En existencias
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SCRs Through Hole TO-251-3
Littelfuse SCR 12A 1000V 208En existencias
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SCRs Through Hole TO-251-3
IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247 154En existencias
1,470Se espera el 10/6/2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247 135En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Littelfuse SCR SCR 600V 70A 245En existencias
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SCRs Through Hole SMTO-218
Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS Diode Low Cap P6KE 3,476En existencias
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Carrete: 4,000
DO-15 (DO-204AC)
Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS Diode Low Cap P6KE 3,431En existencias
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Carrete: 4,000

DO-15 (DO-204AC)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 269En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V/90A X3-Class HiPerFET 269En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1 Amps 1200V 20 Rds 321En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked 167En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-264
Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS Diode Low Cap P6KE 3,968En existencias
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Carrete: 4,000

DO-15 (DO-204AC)
Littelfuse SCR Sen SCR 600V 10A 200hA TO252 834En existencias
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Carrete: 2,500

SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Littelfuse SCR SCR 1000V 55A 249En existencias
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SCRs Through Hole SMTO-218
IXYS Módulos MOSFET 1000V 44A SOT-227 Power MOSFET 177En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3) 292En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/24A 299En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1200V 0.46 Rds 267En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET 267En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3