STMicroelectronics MDmesh Semiconductores

Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 275 mOhm typ., 18 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long le Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 78 mOhm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247 long leads Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.056 Ohm 42 A Mdmesh Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 37 Ohm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long lead Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
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STMicroelectronics STW63N65DM2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
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STMicroelectronics STWA63N65DM2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long l Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
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