STMicroelectronics MDmesh Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in I2PAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
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No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.39 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 175 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.182 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 21 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 91 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a IPAK package
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27ohms 13A Mdmesh
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 0.2Ohm typ 19A Zener-protected
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
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Plazo de entrega 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.037Ohm 58A
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600