STMicroelectronics MDmesh Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.205 Ohm typ., 14 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.184 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 8
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 125 mOhm typ., 21 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.8 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.45 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 137 Semanas
Min.: 1,800
Mult.: 1,800
Carrete: 1,800

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET
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No en existencias
Min.: 1,800
Mult.: 1,800
Carrete: 1,800

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh M5
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 93 mOhm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-247 package
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 0.27 Ohm 13 A MDmesh(TM)
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Min.: 543
Mult.: 1


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600