STMicroelectronics MDmesh Semiconductores

Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 730 mOhm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.230 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 200 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220FP packa Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package Plazo de entrega 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package Plazo de entrega 14 Semanas
Min.: 1,000
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 950 V, 280 mOhm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i Plazo de entrega 14 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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STMicroelectronics Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 3 A, 1.6 Ohm max., 600 V, MOSFET Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 300 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 p Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Mult.: 3,000
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 278 mOhm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.278 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 13 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000