|
|
Módulos MOSFET 72 Amps 500V 0.055 Rds
- IXFE80N50
- IXYS
-
10:
$36.97
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFE80N50
NRND
|
IXYS
|
Módulos MOSFET 72 Amps 500V 0.055 Rds
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
ISOPLUS227-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 500V 0.1 Rds
- IXFG55N50
- IXYS
-
25:
$20.37
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFG55N50
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 500V 0.1 Rds
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 25
Mult.: 25
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-264-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 10A
- IXFH10N100
- IXYS
-
1:
$15.39
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH10N100
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 10A
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V
- IXFH11N80
- IXYS
-
30:
$9.89
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH11N80
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V
|
|
No en existencias
|
|
|
$9.89
|
|
|
$8.24
|
|
|
$7.34
|
|
|
$6.85
|
|
Min.: 30
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A
- IXFH12N100
- IXYS
-
300:
$11.40
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N100
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 300
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.3 Rds
- IXFH12N120
- IXYS
-
30:
$14.39
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N120
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.3 Rds
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 30
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A
- IXFH12N90
- IXYS
-
60:
$12.54
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N90
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 60
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds
- IXFH13N100
- IXYS
-
30:
$13.51
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N100
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 30
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A
- IXFH13N80
- IXYS
-
300:
$8.12
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A
|
|
No en existencias
|
|
|
$8.12
|
|
|
$7.69
|
|
|
$7.18
|
|
Min.: 300
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds
- IXFH13N80Q
- IXYS
-
30:
$9.40
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80Q
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds
|
|
No en existencias
|
|
|
$9.40
|
|
|
$8.12
|
|
|
$7.69
|
|
|
$7.18
|
|
Min.: 30
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds
- IXFH13N90
- IXYS
-
30:
$10.84
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N90
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds
|
|
No en existencias
|
|
|
$10.84
|
|
|
$9.37
|
|
|
$8.87
|
|
|
$8.28
|
|
Min.: 30
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.7 Rds
- IXFH14N80
- IXYS
-
30:
$11.05
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH14N80
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.7 Rds
|
|
No en existencias
|
|
|
$11.05
|
|
|
$9.54
|
|
|
$9.04
|
|
|
$8.44
|
|
Min.: 30
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V
- IXFH15N60
- IXYS
-
30:
$6.99
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N60
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V
|
|
No en existencias
|
|
|
$6.99
|
|
|
$6.98
|
|
|
$6.85
|
|
Min.: 30
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A
- IXFH15N80
- IXYS
-
30:
$9.93
-
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N80
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A
|
|
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
|
|
|
$9.93
|
|
|
$8.27
|
|
|
$6.88
|
|
Min.: 30
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A
- IXFH20N60
- IXYS
-
300:
$13.73
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N60
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 300
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 21A
- IXFH21N50
- IXYS
-
90:
$7.11
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH21N50
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 21A
|
|
No en existencias
|
|
|
$7.11
|
|
|
$5.92
|
|
|
$5.27
|
|
|
$4.92
|
|
Min.: 90
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 24A
- IXFH24N50
- IXYS
-
300:
$6.71
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH24N50
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 24A
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 300
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id26 BVdass500
- IXFH26N50
- IXYS
-
300:
$6.24
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH26N50
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id26 BVdass500
|
|
No en existencias
|
|
|
$6.24
|
|
|
$5.87
|
|
|
$5.53
|
|
Min.: 300
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 400V 0.16 Rds
- IXFH30N40Q
- IXYS
-
30:
$7.85
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N40Q
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 400V 0.16 Rds
|
|
No en existencias
|
|
|
$7.85
|
|
|
$6.54
|
|
|
$5.82
|
|
|
$5.44
|
|
Min.: 30
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V 0.23 Rds
- IXFH30N60Q
- IXYS
-
30:
$10.29
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N60Q
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V 0.23 Rds
|
|
No en existencias
|
|
|
$10.29
|
|
|
$8.56
|
|
|
$7.63
|
|
|
$7.12
|
|
Min.: 30
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds
- IXFH36N55Q
- IXYS
-
30:
$11.44
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH36N55Q
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 30
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds
- IXFH36N55Q2
- IXYS
-
30:
$14.49
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH36N55Q2
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 30
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 40A
- IXFH40N30
- IXYS
-
300:
$19.41
-
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH40N30
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 40A
|
|
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
|
|
Min.: 300
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 200V
- IXFH42N20
- IXYS
-
300:
$8.53
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH42N20
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 200V
|
|
No en existencias
|
|
|
$8.53
|
|
|
$8.07
|
|
|
$7.54
|
|
Min.: 300
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id50 BVdass200
- IXFH50N20
- IXYS
-
300:
$13.73
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH50N20
NRND
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id50 BVdass200
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 300
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
