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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Selección de ficha Imagen Fabricante = STMicroelectronics

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

STL260N4LF7
STMicroelectronics
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STL260N4LF7

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511-STL260N4LF7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

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SMD/SMT

PowerFLAT5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3 mOhm typ.,105 A STripFET F7 Power MOSFET in P

STL105N4LF7AG
STMicroelectronics
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$2.07

$1.32

$0.892

$0.71

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

40 V

105 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

23.3 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i

STL110N4F7AG
STMicroelectronics
1: $1.91
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511-STL110N4F7AG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i

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$1.91

$1.22

$0.808

$0.662

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

40 V

108 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

STL260N4F7
STMicroelectronics
1: $3.67
5,403En existencias

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STL260N4F7

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511-STL260N4F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

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$3.67

$2.41

$1.68

$1.48

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL13N60M6
STMicroelectronics
1: $2.60
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STL13N60M6

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511-STL13N60M6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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$2.60

$1.66

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

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- 25 V, 25 V

3.25 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL10N60M6
STMicroelectronics
1: $2.36
1,787En existencias

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STL10N60M6

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511-STL10N60M6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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$2.36

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

5.5 A

660 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

8.8 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i

STL117N4LF7AG
STMicroelectronics
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4,204En existencias

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STL117N4LF7AG

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511-STL117N4LF7AG

STMicroelectronics

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$1.28

$0.888

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

40 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

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+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive 60V N-Ch 12mOhm 120A F7 Power

STL225N6F7AG
STMicroelectronics
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9,036En existencias

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STL225N6F7AG

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511-STL225N6F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive 60V N-Ch 12mOhm 120A F7 Power

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

1.2 mOhms

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2 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET

STL115N10F7AG
STMicroelectronics
1: $3.20
1,212En existencias

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STL115N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL115N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET

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$2.09

$1.46

$1.24

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Mult.: 1

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SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

107 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

72.5 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

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STL10N65M2
STMicroelectronics
1: $2.14
3,000Se espera el 23/3/2026

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STL10N65M2

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511-STL10N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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3,000Se espera el 23/3/2026

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$2.14

$1.37

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$0.739

Envase tipo carrete

$0.60

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

650 V

4.5 A

1 Ohms

- 25 V, 25 V

2 V

10.3 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL18N60M6
STMicroelectronics
3,000: $1.27
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

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STL18N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

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$1.27

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SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

308 mOhms

- 20 V, 20 V

3.25 V

16.8 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a

STL19N3LLH6AG
STMicroelectronics
3,000: $0.404
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL19N3LLH6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL19N3LLH6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a

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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

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$0.404

$0.397

$0.39

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SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

30 V

10 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.7 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

STL22N60M6
STMicroelectronics
3,000: $1.03
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL22N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL22N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

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$1.03

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SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

250 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL12N60M6
STMicroelectronics
3,000: $0.717
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL12N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL12N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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Envase tipo carrete

$0.717

$0.706

Min.: 3,000
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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

6.4 A

490 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

12.3 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL16N60M6
STMicroelectronics
3,000: $1.11
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL16N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL16N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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$1.11

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Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

350 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel

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