Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET DFN
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 38 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel

Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET DFN
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 115 nC - 55 C + 150 C 88 W Enhancement Reel