STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Hoja de datos
460En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 600

Si SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 51 A 50 mOhms 30 V 4.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Hoja de datos
600En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 600

Si SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 600 V 54 A 46 mOhms 30 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape