MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
MACOM UF28100M
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,100W,28V,100-500MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

Si
MACOM UF2815B
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,15W,28V,100-500MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

Si
MACOM UF2820P
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,20W,28V,100-500MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

Si
MACOM PTFA220041M-V4-R1K
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200W, Si LDMOS, 28V, 700-22000MHz, Plastic SMT DFN No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000
Si Reel
MACOM PTFB241402FC-V1-R250
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete: 250
Si Reel
MACOM PTFB241402FC-V1-R0
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50
Si Reel
MACOM PTNC210604MD-V2-R5
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500
Si Reel
MACOM PTVA082407NF-V2-R5
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO288
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500
Si Reel
MACOM PXAE261908NF-V1-R5
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, SiLDMOS, 28V, 2615-2515-2675 MHz
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500
Si Reel
MACOM LTA/PTNC210604MD-V2
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 10W Avg. 2110-2200 MHz LDMOS Doherty EVB
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Bulk
MACOM LTA/PTRA082808NF-V1
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LTA/PTRA082808NF-V1
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Bulk
MACOM LTA/PTRA093818NF-V1
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LTA/PTRA093818NF-V1
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Bulk
MACOM LTN/PTNC210604MD-V2
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 2110-2200 MHz, PTNC210604MD-V2 LDMOS 2-Stage RFIC included
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si
MACOM MRF175LU
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400MHz 28Volt 100W Gain 10dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

N-Channel Si 13 A 65 V 400 MHz 10 dB 100 W - 65 C + 150 C 333-4 Bulk