|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP
- B10G2324N10DLX
- Ampleon
-
3,000:
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Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
94-B10G2324N10DLX
Nuevo producto
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Ampleon
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP
|
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
2.3 GHz to 2.4 GHz
|
31.3 dB
|
10 W
|
|
+ 125 C
|
SMD/SMT
|
LGA-20
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP
- B10G2324N10DLZ
- Ampleon
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N.º de artículo de Mouser
94-B10G2324N10DLZ
Nuevo producto
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Ampleon
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP
|
|
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
2.3 GHz to 2.4 GHz
|
31.3 dB
|
10 W
|
|
+ 125 C
|
SMD/SMT
|
LGA-20
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2327N55D/PQFN/REELDP
- B10G2327N55DZ
- Ampleon
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N.º de artículo de Mouser
94-B10G2327N55DZ
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Ampleon
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2327N55D/PQFN/REELDP
|
|
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
2.3 GHz to 2.7 GHz
|
31.2 dB
|
46.8 dBm
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
QFN-20
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2527N10DL/LGA-7x7/REELDP
- B10G2527N10DLZ
- Ampleon
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-
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N.º de artículo de Mouser
94-B10G2527N10DLZ
Nuevo producto
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Ampleon
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2527N10DL/LGA-7x7/REELDP
|
|
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
2.5 GHz to 2.7 GHz
|
30 dB
|
10 W
|
|
+ 125 C
|
SMD/SMT
|
LGA-20
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL
- B10G3336N16DLX
- Ampleon
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N.º de artículo de Mouser
94-B10G3336N16DLX
|
Ampleon
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL
|
|
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
3.3 GHz to 3.6 GHz
|
35 dB
|
16 W
|
|
+ 125 C
|
SMD/SMT
|
LGA-20
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL
- B10G3336N16DLZ
- Ampleon
-
1,000:
$18.00
-
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
94-B10G3336N16DLZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL
|
|
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
3.3 GHz to 3.6 GHz
|
35 dB
|
16 W
|
|
+ 125 C
|
SMD/SMT
|
LGA-20
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP
- B10G4750N12DLZ
- Ampleon
-
1,000:
$15.20
-
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-B10G4750N12DLZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP
|
|
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
4.7 GHz to 5 GHz
|
30 dB
|
12 W
|
|
+ 125 C
|
SMD/SMT
|
LGA-20
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
- B10H0608N40DX
- Ampleon
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3,000:
$51.12
-
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
94-B10H0608N40DX
Nuevo producto
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
|
|
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
|
|
|
|
LDMOS
|
|
48 V
|
|
600 MHz to 800 MHz
|
34 dB
|
46.9 dBm
|
- 40 C
|
+ 120 C
|
SMD/SMT
|
LGA-34
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL
- B10H0608N40DYZ
- Ampleon
-
500:
$53.91
-
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
94-B10H0608N40DYZ
Nuevo producto
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL
|
|
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
|
LDMOS
|
|
48 V
|
|
600 MHz to 800 MHz
|
34 dB
|
46.9 dBm
|
- 40 C
|
+ 120 C
|
SMD/SMT
|
LGA-34
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
- B10H0710N40DX
- Ampleon
-
3,000:
$49.71
-
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-B10H0710N40DX
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
|
|
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
|
|
|
|
LDMOS
|
|
52 V
|
|
700 MHz to 1 GHz
|
35 dB
|
47 dBm
|
- 40 C
|
+ 120 C
|
SMD/SMT
|
LGA-34
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
- B11G1822N60DX
- Ampleon
-
1,500:
$44.21
-
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-B11G1822N60DX
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
|
|
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
1.8 GHz to 2.2 GHz
|
32 dB
|
48.5 dBm
|
|
+ 125 C
|
SMD/SMT
|
QFN-36
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
- B11G1822N60DYZ
- Ampleon
-
300:
$45.84
-
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-B11G1822N60DYZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
|
|
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
Min.: 300
Mult.: 300
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
1.8 GHz to 2.2 GHz
|
32 dB
|
48.5 dBm
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
QFN-36
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
- B11G2327N71DX
- Ampleon
-
1,500:
$45.56
-
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-B11G2327N71DX
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
|
|
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
2.3 GHz to 2.7 GHz
|
33.5 dB
|
49.5 dBm
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
QFN-36
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP
- B11G3338N81DX
- Ampleon
-
1,500:
$47.95
-
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-B11G3338N81DX
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP
|
|
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
3.3 GHz to 3.8 GHz
|
38 dB
|
49 dBm
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
QFN-36
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP
- B11G3338N81DYZ
- Ampleon
-
300:
$47.14
-
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-B11G3338N81DYZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP
|
|
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
Min.: 300
Mult.: 300
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
3.3 GHz to 3.8 GHz
|
38 dB
|
49 dBm
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
QFN-36
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3742N81D/PQFN-12x7/REELDP
- B11G3742N81DX
- Ampleon
-
1,500:
$47.59
-
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-B11G3742N81DX
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3742N81D/PQFN-12x7/REELDP
|
|
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
3.7 GHz to 4.2 GHz
|
36 dB
|
48.5 dBm
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
QFN-36
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011L-300G/SOT502/TRAY
- BLA9G1011L-300GU
- Ampleon
-
60:
$222.24
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLA9G1011L-300GU
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011L-300G/SOT502/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 60
Mult.: 60
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
43 mOhms
|
1.03 GHz to 1.09 GHz
|
19.5 dB
|
300 W
|
|
+ 225 C
|
Screw Mount
|
SOT502F-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011L-300/SOT502/TRAY
- BLA9G1011L-300U
- Ampleon
-
60:
$237.82
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLA9G1011L-300U
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011L-300/SOT502/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 60
Mult.: 60
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
43 mOhms
|
1.03 GHz to 1.09 GHz
|
19.5 dB
|
300 W
|
|
+ 225 C
|
Screw Mount
|
SOT502A-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011LS-300G/SOT502/TRAY
- BLA9G1011LS-300GU
- Ampleon
-
60:
$230.31
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLA9G1011LS-300GU
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011LS-300G/SOT502/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 60
Mult.: 60
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
43 mOhms
|
1.03 GHz to 1.09 GHz
|
19.5 dB
|
300 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
SOT502E-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011LS-300/SOT502/TRAY
- BLA9G1011LS-300U
- Ampleon
-
60:
$227.16
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLA9G1011LS-300U
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011LS-300/SOT502/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 60
Mult.: 60
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
43 mOhms
|
1.03 GHz to 1.09 GHz
|
19.5 dB
|
300 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
SOT502B-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY
- BLA9H0912L-250GU
- Ampleon
-
60:
$218.27
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912L-250GU
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 60
Mult.: 60
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
50 V
|
110 mOhms
|
960 MHz to 1.215 GHz
|
22 dB
|
250 W
|
|
+ 225 C
|
Screw Mount
|
SOT502F-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY
- BLA9H0912L-250U
- Ampleon
-
60:
$223.66
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912L-250U
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 60
Mult.: 60
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
50 V
|
110 mOhms
|
960 MHz to 1.215 GHz
|
22 dB
|
250 W
|
|
+ 225 C
|
Screw Mount
|
SOT502A-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY
- BLA9H0912L-700GU
- Ampleon
-
60:
$326.15
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912L-700GU
|
Ampleon
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 60
Mult.: 60
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N-Channel
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LDMOS
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50 V
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60 mOhms
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960 MHz to 1.215 GHz
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20 dB
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700 W
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+ 225 C
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Screw Mount
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SOT502F-3
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Tray
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
- BLA9H0912L-700U
- Ampleon
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60:
$318.35
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912L-700U
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Ampleon
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 60
Mult.: 60
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N-Channel
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LDMOS
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50 V
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60 mOhms
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960 MHz to 1.215 GHz
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20 dB
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700 W
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+ 225 C
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Screw Mount
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SOT502A-3
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Tray
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-1200PGJ/SOT539/TRAY
- BLA9H0912LS-1200PGJ
- Ampleon
-
100:
$489.21
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912L1200PGJ
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Ampleon
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-1200PGJ/SOT539/TRAY
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 100
Mult.: 100
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Dual N-Channel
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LDMOS
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50 V
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60 mOhms
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960 MHz to 1.215 GHz
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19 dB
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1.2 kW
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+ 225 C
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SMD/SMT
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SOT1248C-5
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Reel
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