STAC4932F

STMicroelectronics
511-STAC4932F
STAC4932F

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 80   Múltiples: 80
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$103.93 $8,314.40
1,040 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
N-Channel
Si
1 mA
200 V
250 MHz
24.6 dB
1 kW
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
STAC244F
Bulk
Marca: STMicroelectronics
Transconductancia hacia delante - Mín.: 6 S
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Serie: STAC4932F
Cantidad de empaque de fábrica: 80
Subcategoría: MOSFETs
Tipo: RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: + 20 V
Peso de la unidad: 2.100 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STAC RF DMOS Transistors

STMicroelectronics STAC RF DMOS Transistors are designed for applications ranging from 1MHz to 250MHz, such as FM broadcast, industrial, scientific and medical applications. STMicroelectronics RF DMOS transistors operate from a supply voltage of up to 300V. They feature high peak power (up to 1.2kW) and high ruggedness capability (infinite:1VSWR). The STAC air cavity features enhanced thermal behavior, improved RF performance and best-in-class reliability.