ART2K0FEU

Ampleon
94-ART2K0FEU
ART2K0FEU

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FE/SOT539/TRAY

Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Modelo ECAD:
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En existencias: 187

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$277.80 $277.80
$231.22 $2,312.20

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Ampleon
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
Dual N-Channel
LDMOS
65 V
100 mOhms
1 MHz to 400 MHz
28.4 dB
2 kW
+ 225 C
Screw Mount
SOT539AN-5
Tray
Marca: Ampleon
Número de canales: 2 Channel
Tipo de producto: RF MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 60
Subcategoría: RF Transistors
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 9 V, + 13 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
Alias de las piezas n.º: 934960280112
Peso de la unidad: 8 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

ART2K0 LDMOS RF Power Transistors

Ampleon ART2K0 LDMOS RF Power Transistors are based on Advanced Rugged Technology (ART) and designed to cover various ISM, broadcast, and communications applications. The unmatched 2000W LDMOS devices have a frequency range of 1MHz to 400MHz. Designed for broadband operation, the Ampleon ART2K0 transistors deliver high efficiency and excellent thermal stability/ruggedness with no device degradation.