ART2K0FEGJ

Ampleon
94-ART2K0FEGJ
ART2K0FEGJ

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FEG/SOT1248/REEL

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 100   Múltiples: 100
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 100)
$212.17 $21,217.00
200 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Ampleon
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
Dual N-Channel
LDMOS
65 V
100 mOhms
1 MHz to 400 MHz
28.4 dB
2 kW
+ 225 C
SMD/SMT
SOT1248C-5
Reel
Marca: Ampleon
Número de canales: 2 Channel
Tipo de producto: RF MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: RF Transistors
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 9 V, + 13 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
Alias de las piezas n.º: 934960537118
Peso de la unidad: 7.044 g
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

ART2K0 LDMOS RF Power Transistors

Ampleon ART2K0 LDMOS RF Power Transistors are based on Advanced Rugged Technology (ART) and designed to cover various ISM, broadcast, and communications applications. The unmatched 2000W LDMOS devices have a frequency range of 1MHz to 400MHz. Designed for broadband operation, the Ampleon ART2K0 transistors deliver high efficiency and excellent thermal stability/ruggedness with no device degradation.