ART1K6FHGJ

Ampleon
94-ART1K6FHGJ
ART1K6FHGJ

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHG/SOT1248/REEL

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 100   Múltiples: 100
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Cantidad Precio unitario
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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 100)
$223.96 $22,396.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Ampleon
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
Dual N-Channel
LDMOS
55 V
84 mOhms
1 MHz to 425 MHz
28 dB
1.6 kW
+ 225 C
SMD/SMT
SOT1248C-5
Reel
Marca: Ampleon
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: PH
Número de canales: 2 Channel
Tipo de producto: RF MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: RF Transistors
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 9 V, + 13 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
Alias de las piezas n.º: 934960534118
Peso de la unidad: 7.044 g
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Atributos seleccionados: 0

USHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000

ART1K6FH LDMOS RF Power Transistors

Ampleon ART1K6FH LDMOS RF Power Transistors are 1600W LDMOS RF power transistors based on Advanced Rugged Technology (ART). The Ampleon ART1K6FH transistors cover various ISM, broadcast, and communications applications. The unmatched transistors offer a 1MHz to 425MHz frequency range. Designed for broadband operation, the Ampleon ART1K6FH transistors deliver high efficiency and excellent thermal stability/ruggedness with no device degradation.