El/los Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) más reciente(s)
Filtros aplicados:
Ninguno seleccionado
Regrese a la ficha de Productos para modificar sus filtros actuales.
CEL Low Noise FETs & ICs
07/09/2023
07/09/2023
Deliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.
Qorvo pHEMT GaAs discreto de 600 µm QPD2060D
04/19/2022
04/19/2022
Ofrece 28 dBm de potencia de salida a P1dB, ganancia de 12 dB y eficiencia de potencia agregada del 55 % a 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discreto de 800 µm QPD2080D
04/19/2022
04/19/2022
Ofrece 29.5 dBm de potencia de salida a P1dB, ganancia de 11.5 dB y eficiencia de potencia agregada del 56 % a 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discreto de 1200 µm QPD2120D
04/19/2022
04/19/2022
Ofrece 31 dBm de potencia de salida a P1dB, ganancia de 11.5 dB y eficiencia de potencia agregada del 57 % a 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discreto de 1600 µm QPD2160D
04/19/2022
04/19/2022
Ofrece 32.5 dBm de potencia de salida a P1dB, ganancia de 10.4 dB y eficiencia de potencia agregada del 63 % a 1 dB.
Viendo: 1 - 5 de 5