Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tamaño de memoria Organización Tiempo de acceso Tipo de interfaz Voltaje de alimentación - Máx. Voltaje de alimentación - Mín. Corriente de suministro - Máx. Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Estilo de montaje Paquete / Cubierta Empaquetado
Alliance Memory Tamaño de memoria RAM (SRAM) 64M 3V 55ns Low Power 4096k x 16 20En existencias
192Se espera el 8/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
Alliance Memory Tamaño de memoria RAM (SRAM) 64M 3V 55ns Low Power 4048k x 16 Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
Carrete: 1,500

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel