Tray Memoria RAM magnetorresistiva

Resultados: 326
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta Tipo de interfaz Tamaño de memoria Organización Ancho de bus de datos Tiempo de acceso Voltaje de alimentación - Mín. Voltaje de alimentación - Máx. Corriente de suministro operativa Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Serie Empaquetado
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva 270En existencias
810Se espera el 17/6/2026
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TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 Memoria RAM magnetorresistiva 327En existencias
Min.: 1
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TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva 75En existencias
Min.: 1
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TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva 189En existencias
Min.: 1
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TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva 117En existencias
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TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva 252En existencias
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TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 3.3V 32Mb Memoria RAM magnetorresistiva with unlimited read & write endurance, currently MSL 6 156En existencias
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BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3V 128Kx8 Serial Memoria RAM magnetorresistiva 335En existencias
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DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray


Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13ES2T 47En existencias
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DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C 114En existencias
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FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz 70En existencias
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BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray

Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13IS2T 67En existencias
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DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 32Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 36En existencias
580Se espera el 12/11/2026
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DFN-8 SPI 32 Mbit 4 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 64Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM064LXQADG13ES2T 38En existencias
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DFN-8 SPI 64 Mbit 8 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 128Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz 4En existencias
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BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 105 C Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C 113En existencias
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TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI 5En existencias
3,420En pedido
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DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 125 C MR25H40 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C 24En existencias
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WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 3.3V 32Mb Memoria RAM magnetorresistiva with unlimited read & write endurance, currently MSL 6 3En existencias
Min.: 1
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BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray

Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
910Se espera el 3/6/2026
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DFN-8 SPI 16 Mbit 2 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 64Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
200Se espera el 3/6/2026
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DFN-8 QSPI 64 Mbit 8 M x 8 1.7 V 2 V 48.5 mA - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
1,133Se espera el 5/11/2026
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DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
1,620Se espera el 15/7/2026
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TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3V 32Kx8 Serial Memoria RAM magnetorresistiva
10,402En pedido
Min.: 1
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DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
675Se espera el 15/7/2026
Min.: 1
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TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray