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D5116ANBHXGXN-UF

Name: Kingston D5116ANBHXGXN-UF
Brand: Kingston
SKU: 524-D5116ANBHXGXN-UF
Price: 102.79 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

524-D5116ANBHXGXN-UF

Fabricante N.º:

D5116ANBHXGXN-UF

Fabricante:

Kingston

Descripción:

DRAM DDR4 8Gb 96 ball 512Mx16 3200Mbps

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

D5116ANBHXGXN-UF Hoja de datos (PDF)

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	$89.36	$4,468.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Kingston
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR4
Tamaño de memoria:	8 GB
Paquete / Cubierta:	FBGA-96
Organización:	512 M x 16
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.14 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.26 V
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 95 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Kingston
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	SDRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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Hoja de datos

D5116ANBHXGXN-UF Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8542320036
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

LPDDR4 DRAM Devices

Kingston LPDDR4 DRAM Devices feature low power consumption and an auto precharge option for each burst access. These DRAM devices offer DMI pin support for write data masking and DBIdc functionality. The LPDDR4 DRAM devices are packaged in FBGA-200 and have 8Gbits die density. These DRAM devices feature Auto Temperature Compensated Self-Refresh (ATCSR) by a built-in temperature sensor and per bank refresh. The LPDDR4 DRAM devices operate at -25°C to 85°C temperature range, 1.6GHz maximum clock frequency, and 1.06V to 1.95V supply voltage range.