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CY7C1021D-10VXI

Name: Infineon CY7C1021D-10VXI
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-CY7C1021D-10VXI
Price: 4.91 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

727-CY7C1021D-10VXI

Fabricante N.º:

CY7C1021D-10VXI

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Tamaño de memoria RAM (SRAM) 2Mb 10ns 64K x 16 Fast Async Tamaño de memoria RAM (SRAM)

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

CY7C1021D-10VXI Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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En existencias: 301

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$4.91	$4.91
	$3.34	$1,703.40
	$3.33	$3,396.60
	$3.31	$8,440.50

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CY7C1021D-10VXIT

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$4.92

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Tamaño de memoria RAM (SRAM)
RoHS:
Tamaño de memoria:	1 Mbit
Organización:	64 k x 16
Tiempo de acceso:	10 ns
Frecuencia de reloj máxima:	100 MHz
Tipo de interfaz:	Parallel
Voltaje de alimentación - Máx.:	5.5 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	4.5 V
Corriente de suministro - Máx.:	80 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOJ-44
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Tipo de memoria:	SDR
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	SRAM
Serie:	CY7C1021D
Cantidad de empaque de fábrica:	510
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Tipo:	Asynchronous
Peso de la unidad:	5.443 g

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Hoja de datos

CY7C1021D-10VXI Hoja de datos (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-6-17 (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 8542320290
KRHTS:: 8542311000
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.b

CY7C1021D CMOS Static RAM

Infineon Technologies CY7C1021D CMOS Static RAM is a high-performance device organized as 65,536 words by 16 bits. The CY7C1021D CMOS static RAM has an automatic power down feature that significantly reduces power consumption when deselected. This Infineon device has low active power of 80mA at 10ns and low CMOS standby power of 3mA.The CY7C1021D static RAM also features 2.0V data retention and independent control of upper and lower bits.

Fast Async SRAMs

Infineon Technologies Fast Async SRAMs include product offerings ranging from 64Kbit up to 32Mbit. Fast SRAMs are available in industry-standard voltage, bus-width, and package options. Developed using Infineon's high-performance CMOS technology, these devices offer fast access times (8ns to 12ns), making them an ideal choice in applications such as switches and routers, IP phones, test equipment, DSLAM cards, and automotive electronics. In addition, Infineon Fast Asynchronous SRAMs are available in industrial and automotive temperature grades.

Asynchronous SRAM

Infineon Technologies Asynchronous SRAM comes in a broad range of fast asynchronous and low-power asynchronous SRAM (MoBL™) devices. Designers use Asynchronous SRAMs in various industrial, medical, commercial, automotive, and military applications requiring the highest reliability and performance standards.