LPDDR4 & LPDDR4X Mobile SDRAM

ISSI LPDDR4 and LPDDR4X SDRAM are low-voltage memory devices available in 2Gb, 4Gb, and 8Gb densities. The low-voltage cores and I/O power requirements make these devices ideal for mobile applications. The ISSI LPDDR4 and LPDDR4X SDRAM offer a clock frequency range from 1333MHz to 1600MHz and data rates up to 3200Mbps per I/O. These devices are configured with eight internal banks per channel for concurrent operation. The LPDDR4 and LPDDR4X feature programmable read and write latencies in programmable and "on-the-fly" burst lengths.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tipo
Tamaño de memoria
Ancho de bus de datos
Frecuencia de reloj máxima
Organización
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Hoja de datos
41En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Hoja de datos
952Se espera el 7/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 143

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM SUGGESTED ALTERNATE IS43LQ32128A-062TBLI
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz 128 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 38 Semanas
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz 256 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C