QPD1016LEVB01

Qorvo
772-QPD1016LEVB01
QPD1016LEVB01

Fabricante:

Descripción:
Herramientas de desarrollo RF DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr

En existencias: 1

Existencias:
1
Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1
Se espera el 19/2/2026
Plazo de entrega de fábrica:
16
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$1,625.11 $1,625.11

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: Herramientas de desarrollo RF
RoHS:  
Evaluation Boards
RF Transceiver
QPD1016L
Marca: Qorvo
Empaquetado: Bag
Tipo de producto: RF Development Tools
Serie: QPD1016L
Cantidad de empaque de fábrica: 1
Subcategoría: Development Tools
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

USHTS:
9030820000
ECCN:
EAR99

QPD1016LEVB01 Evaluation Board

Qorvo QPD1016LEVB01 Evaluation Board is a demonstration and development platform for the QPD1016L GaN RF Transistor. The QPD1016L is a 500W (P3dB) pre-matched discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide High-Electron Mobility Transistor (GaN on SiC HEMT) operating from DC to 1.7GHz. The QPD1016L provides a linear gain of 18dB at 1.3GHz and features a drain efficiency of 67% at 3dB compression. The device can support pulsed and linear operations.